PCVD的全稱：(Plasma Asisted Chmical Vapor Deposition)。等離子體增強化學氣相沉積 二、原理： PCVD的原理與輝光離子放電等離子體滲氮的原理相似，同樣是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）。工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱源）使工件升溫到預定溫度，然后通入適量的反應氣體，經一系列化學反應和等離子體反應，在工件表面形成一層薄膜。它包括了化學氣相沉積的一般技術，又有輝光放電的強化作用。 PCVD等離子體增強化學氣相沉積設備與等離子體滲氮設備相似，包括：電源、真空爐體、真空獲得系統、進氣系統、氣體凈化系統等。它繼承了CVD和PVD的優點,克服了缺點。

CVD與PCVD的異同點如下：

1、工件表面超硬化處理方法主要有物li 氣相沉積（PVD），化學氣相沉積（CVD），物理化學氣相沉積（PCVD），擴散法金屬碳化物履層技術，其中，CVD法具有膜基結合力好，工藝繞鍍性好等突出優點，因此其應用主要集中在硬質合金等材料上。PCVD法的沉積溫度低，膜基結合力及工藝繞鍍性均較PVD法有較大改進，但與擴散法相比，膜基結合力有較大的差距，PVD法具有沉積溫度低，工件變形小的優點，但由于膜層與基體的結合力較差，工藝繞鍍性不好，往往難以發揮超硬化合物膜層的性能優勢。此外由于PCVD法是等離子體成膜，雖然繞鍍性較PVD法有所改善，不過沒有辦法消除。

2、由擴散法金屬碳化物覆層技術形成的金屬碳化物覆層，與基體形成冶金結合，具有PVD、PCVD無法比擬的膜基結合力，因此該技術真正能夠發揮超硬膜層的性能優勢，此外，該技術沒有繞鍍性問題，后續基體硬化處理方便，并可多次重復處理，使該技術的適用性更加廣泛。

3、CVD是在高溫遠高于臨界溫度下，產物蒸汽形成過飽和蒸氣壓，自動凝聚成晶核，在聚集成顆粒，在低溫區得到納米粉體。可以選擇條件來控制粉體的大小形狀等。對于PCVD，它是利用電弧產生高溫，將氣體等離子化，然后這些離子逐漸長大聚合，形成超細粉體，該方法反應溫度高，升溫冷卻速率較快。